Samsung 850 EVO MZ-75E250 - Solid state drive - 250 GB - intern - 2.5" - SATA 6Gb/s - buffer: 512 MB

Varenr.: 2382390 | Producent: Samsung | Model-nr.: MZ-75E250B/EU | EAN: 8809321845671

På lager, bestil inden kl. 16.00 og vi sender i dag (hverdage + søndag) Mere info - Varen kan også hentes i vores butik i 4140-Borup

Lager kampagne

Der er 25+ på lager

Den aktuelle pris gælder kun så længe lokalt lager haves

DKK 849,00
ex. moms 679,20
Total inkl. fragt 849,00
Læg i indkøbskurv
What is 3D V-NAND and how does it differ from existing technology?
Samsung’s unique and innovative 3D V-NAND flash memory architecture is a breakthrough in overcoming the density limitations, performance and endurance of today’s conventional planar NAND architecture. 3D V-NAND is fabricated by stacking 32 cell layers vertically over one another rather than decreasing the cells dimensions and trying to fit itself onto a fixed horizontal space resulting in higher density and better performance utilising a smaller footprint.

Optimise daily computing with TurboWrite technology for unrivalled read/write speeds.
Achieve the ultimate read/write performance to maximise your everyday computing experience with Samsung’s TurboWrite technology. You not only obtain more than a 10% better user experience than 840 EVO* but up to 1.9x faster random write speeds for 120/250 GB models** as well. The 850EVO delivers the top of its class performance in sequential read (540 MB/s) and write (520 MB/s) speeds. Plus, you also gain optimised random performance in all QD for client PC usage scenario.
* PCmark7(250 GB ) : 6,700(840 EVO) > 7,600(850 EVO).
** Random Write(QD32,120 GB) : 36,000 IOPS(840 EVO) > 88,000 IOPS(850 EVO).

Get into the fast lane with the improved RAPID mode.
Samsung’s Magician software which provides Rapid Mode for 2x faster processing data speeds* on a system level by utilising unused PC memory (DRAM) as cache storage. The newest Magician increased the maximum memory usage in Rapid mode from 1 GB, in the previous 840 EVO version, to up to 4 GB with the 850 EVO when implementing 16 GB of DRAM. You also get a 2x performance* boost in all random Queue depth.
* PCMARK7 RAW(250 GB) : 7,500 > 15,000(Rapid mode).

Guaranteed endurance and reliability bolstered by 3D V-NAND technology.
The 850 EVO delivers guaranteed endurance and reliability by doubling the TBW* compared to the previous generation 840 EVO** backed by an industry leading 5 year warranty. The 850 EVO through minimised performance degradation allows sustained performance improvements of up to 30% over the 840 EVO proving to be one of the most dependable storage devices***.
* TBW : Total Bytes Written.
** TBW : 43(840 EVO) > 75(850 EVO 120/250 GB),150(850 EVO 500/1 TB).
*** Sustained Performance(250 GB) : 3,300 IOPS(840 EVO) > 6,500 IOPS(850 EVO), Performance measured after 12 hours “Random Write” test.

Compute longer with improved energy efficiency backed by 3D V-NAND.
The 850 EVO delivers significantly longer battery life on your notebook with a controller optimised for 3D V-NAND now enabling Device Sleep at a highly efficient 2mW. The 850 EVO is now 25% more power efficient to the 840 EVO during write operations* thanks to 3D V-NAND only consuming half the energy than that of Planar 2D NAND.
* Power(250 GB) : 3.2 Watt(840 EVO) > 2.4 Watt(850 EVO).

Secure valuable data through advanced AES 256 encryption.
The 850 EVO comes fortified with the latest hardware-based full disk encryption engine. The AES 256 encryption-bit security technology secures data without any performance degradation and complies with TCG Opal 2.0. It is also compatible with Microsoft e-drive IEEE1667 so your data is protected at all times for your peace of mind.

Protect against overheating with a highly responsive Dynamic Thermal Guard.
The 850 EVO’s Dynamic Thermal Guard constantly monitors and maintains ideal temperatures for the drive to operate in optimal conditions for the integrity of your data. When temperatures rise above an optimal threshold, the Thermal Guard automatically throttles temperatures down protecting your data while maintaining responsiveness to ensure your computer is always safe from overheating.

Level up to the 850 EVO simply without any hassle.
In three simple steps the Samsung’s One-stop Install Navigator software easily allows you to migrate all the data and applications from the existing primary storage to the 850 EVO. The Samsung Magician software also allows you to optimise and manage your system best suited for your SSD.

Acquire an integrated in-house solution consisting of top-quality components.
Samsung is the only SSD brand to design and manufacture all its components in-house allowing complete optimised integration. The result – enhanced performance, lower power consumption with an up to 1 GB LPDDR2 DRAM cache memory and improved energy-efficiency with the MEX/MGX controller.


What is 3D V-NAND and how does it differ from existing technology?
Samsung’s unique and innovative 3D V-NAND flash memory architecture is a breakthrough in overcoming the density limitations, performance and endurance of today’s conventional planar NAND architecture. 3D V-NAND is fabricated by stacking 32 cell layers vertically over one another rather than decreasing the cells dimensions and trying to fit itself onto a fixed horizontal space resulting in higher density and better performance utilising a smaller footprint.

Optimise daily computing with TurboWrite technology for unrivalled read/write speeds.
Achieve the ultimate read/write performance to maximise your everyday computing experience with Samsung’s TurboWrite technology. You not only obtain more than a 10% better user experience than 840 EVO* but up to 1.9x faster random write speeds for 120/250 GB models** as well. The 850EVO delivers the top of its class performance in sequential read (540 MB/s) and write (520 MB/s) speeds. Plus, you also gain optimised random performance in all QD for client PC usage scenario.
* PCmark7(250 GB ) : 6,700(840 EVO) > 7,600(850 EVO).
** Random Write(QD32,120 GB) : 36,000 IOPS(840 EVO) > 88,000 IOPS(850 EVO).

Get into the fast lane with the improved RAPID mode.
Samsung’s Magician software which provides Rapid Mode for 2x faster processing data speeds* on a system level by utilising unused PC memory (DRAM) as cache storage. The newest Magician increased the maximum memory usage in Rapid mode from 1 GB, in the previous 840 EVO version, to up to 4 GB with the 850 EVO when implementing 16 GB of DRAM. You also get a 2x performance* boost in all random Queue depth.
* PCMARK7 RAW(250 GB) : 7,500 > 15,000(Rapid mode).

Guaranteed endurance and reliability bolstered by 3D V-NAND technology.
The 850 EVO delivers guaranteed endurance and reliability by doubling the TBW* compared to the previous generation 840 EVO** backed by an industry leading 5 year warranty. The 850 EVO through minimised performance degradation allows sustained performance improvements of up to 30% over the 840 EVO proving to be one of the most dependable storage devices***.
* TBW : Total Bytes Written.
** TBW : 43(840 EVO) > 75(850 EVO 120/250 GB),150(850 EVO 500/1 TB).
*** Sustained Performance(250 GB) : 3,300 IOPS(840 EVO) > 6,500 IOPS(850 EVO), Performance measured after 12 hours “Random Write” test.

Compute longer with improved energy efficiency backed by 3D V-NAND.
The 850 EVO delivers significantly longer battery life on your notebook with a controller optimised for 3D V-NAND now enabling Device Sleep at a highly efficient 2mW. The 850 EVO is now 25% more power efficient to the 840 EVO during write operations* thanks to 3D V-NAND only consuming half the energy than that of Planar 2D NAND.
* Power(250 GB) : 3.2 Watt(840 EVO) > 2.4 Watt(850 EVO).

Secure valuable data through advanced AES 256 encryption.
The 850 EVO comes fortified with the latest hardware-based full disk encryption engine. The AES 256 encryption-bit security technology secures data without any performance degradation and complies with TCG Opal 2.0. It is also compatible with Microsoft e-drive IEEE1667 so your data is protected at all times for your peace of mind.

Protect against overheating with a highly responsive Dynamic Thermal Guard.
The 850 EVO’s Dynamic Thermal Guard constantly monitors and maintains ideal temperatures for the drive to operate in optimal conditions for the integrity of your data. When temperatures rise above an optimal threshold, the Thermal Guard automatically throttles temperatures down protecting your data while maintaining responsiveness to ensure your computer is always safe from overheating.

Level up to the 850 EVO simply without any hassle.
In three simple steps the Samsung’s One-stop Install Navigator software easily allows you to migrate all the data and applications from the existing primary storage to the 850 EVO. The Samsung Magician software also allows you to optimise and manage your system best suited for your SSD.

Acquire an integrated in-house solution consisting of top-quality components.
Samsung is the only SSD brand to design and manufacture all its components in-house allowing complete optimised integration. The result – enhanced performance, lower power consumption with an up to 1 GB LPDDR2 DRAM cache memory and improved energy-efficiency with the MEX/MGX controller.


Hvad er 3D V-NAND, og hvordan adskiller det sig fra eksisterende teknik?
Samsungs 3D V-NAND-teknologi adskiller sig fra den konventionelle NAND-teknologi ved at overfladen anvendes mere lodret (3D i stedet for 2D), hvilket giver højere densitet og bedre præstation med mindre udledning af CO2.

Hurtigere computerfunktion med TurboWrite.
Med 850 EVOs TurboWrite kan du opnå hurtigere læse- og skrivepræstation og bedre daglig computeroplevelse.

Placer dig i overhalingsbanen med den forbedrede RAPID-indstilling.
Samsungs Magician-program og dets RAPID-funktion anvender ubrugt computerhukommelse (DRAM) som bufferlager for op til 4 gange hurtigere databearbejdning. *PCMARK7 RAW (250 GB): 7500 > 15000 (Rapid-indstilling).

Garanteret holdbarhed og pålidelighed takket være 3D V-NAND.
850 EVO giver bedre holdbarhed og pålidelighed med mindre præstationsgradering og er bakket op af den brancheførende 5-års garanti. *TBW: Total Bytes Written (Totale skrevne bytes).

Brug computeren længere med lavere strømforbrug takket være 3D V-NAND.
850 EVO giver længere batteritid på din bærbare computer med en styreenhed optimeret til 3D V-NAND, som nu betyder, at slumretilstanden ikke trækker mere en 2 mW.

Samsung SSD 850 EVO med 250 GB flash-hukommelse
Den nye Samsung SSD 850 EVO er udstyret med Samsungs innovativ og robust 3D V-NAND teknologi. Det gør den ikke kun hurtigere end forgængeren, men også mere effektiv, endnu mere pålidelig og endnu mere holdbar. 5 års fabriksgaranti og nyttige ekstrafunktioner som RAPID og TurboWrite gør SSD 850 EVO ideel til brug til alle daglige opgaver med notebook og pc.

Gå forrest med en ny dimension af ydeevne og pålidelighed
Med den nyeste 3D V-NAND-teknologi forbedrer 850 EVO det daglige arbejde med computeren under alle forhold

Hvad er 3D V-NAND og hvordan adskiller sig fra den hidtidige hukommelsesteknologi? Den enestående og innovative 3D-NAND-flash-hukommelses-arkitektur fra Samsung overvinder den eksisterende grænse ved planar NAND-arkitektur når det kommer til lagertæthed, ydelse og levetid. I stedet for at koncentrere sig om formindskede celler og celleafstande, der finder plads på en meget lille areal, bliver der med 3D-V-NAND lagt 32 cellelag over hinanden, hvilket gør en større hukommelsestæthed samt mere ydelse med samtidig besparelse af den brugte overflade muligt.Med 850 EVO kan du optimere det daglige arbejde ved computeren med TurboWrite-teknologiens enestående læse- og skrivehastigheder. Oplev maksimal dagligt læse- og skriveeffekt med Samsungs TurboWrite-teknologi. Ud over en 10% højere samlet ydeevne i forhold til 840 EVO er tilfældige skriveadgange i modellerne med 120 og 250 GB 1,9 gange hurtigere. 850 EVO tilbyder en overlegen ydelse ved læsning (540 MB/s) og skrivning (520 MB/s) i forhold til lignende produkter fra konkurenter. Derudover får du en effekt optimeret til Client-pc'ere med tilfældig adgang over alle kommandodybder (Queue Depth).Vær i overhalingsbanen med den forbedrede RAPID-tilstand Med Samsung Magician Software kan du altid forbedre effekten. Den giver RAPID-tilstanden, som pc'ens arbejdshukommelse (DRAM) bruger som ekstra buffer og øger dermed overførselshastighederne betydeligt. Med den nye Samsung Magician software øges mulighederne for hukommelsesbrug i RAPID-tilstand fra 1 GB i den forrige version til 4 GB, hvis computeren har 16 GB DRAM til rådighed. Derudover får du en fordoblet effekt med tilfældig adgang over alle kommandodybder.Arbejd længere- takket være den øgede energieffektivitet via 3D V-NAND 850 EVO opnår på notebooks en længere batterilevetid takket være den optimerede SSD-controller til 3D-VNAND, der understøtter device sleep (DEVSLP). Hertil behøver SSD 850 EVO kun 2 mW ydeevne. 850 EVO sparer derudover ved skriveadgang* omkring 25 % mere energi i forhold til 840 EVO, da 3D V-NAND kun bruger omkring halvt så meget energi end plan 2D NAND.Gem dine data med AES 256-bit-kryptering
850 EVO er udstyret med den nyeste, hardwarebaserede krypteringsteknk. AES-krypteringen med 256 Bit sikrer data uden det sædvanlige tab af ydeevne og opfylder kravene fra TCG Opal 2.0. Krypteringen er derudover kompatibel med Microsoft eDrive efter IEEE 1667-specifikationen. På denne måde er dine data til enhver tid beskyttet mod uautoriseret adgang.

Beskyttelse mod overophedning med en hurtigt reagerende, dynamisk beskyttelsesfunktion
Den dynamiske varmebeskyttelse på 850 EVO (Dynamic Thermal Guard) overvåger temperaturen og holder den på et optimalt niveau for at beskytte dataintegriteten. Hvis temperaturen overskrider en tærskel, omdrejes SSD automatisk let for at beskytte computeren mod overophedning. På denne måde er dine data sikre og reaktionsevnen forbliver den samme.

Kom i gang med 850 EVO - uden problemer!
Med one-stop installations- og navigations-software kan du med tre enkle trin og uden større besvær migrere alle data og programmer fra dit gamle drev over på 850 EVO. Med Samsung magician software kan du desuden ideelt justere, optimere og administrere dit system på SSD 850 EVO.

Anskaf dig en integreret in-house-løsning bestående af komponenter af høj kvalitet.
Samsung har selv udviklet alle SSD-komponenter, hvilket betyder en optimal integration. Resultatet er forbedret ydeevne, et lavere energiforbrug i hukommelsen og dette med op til 1 GB store LPDDR2 DRAM caches, samt en samlet forbedret energieffektivitet ved hjælp af MEX/MGX-controlleren.
  • Specifikationer
  • Specifikationer - Udvidet
  • Produkt-varenumre
ProduktbeskrivelseSamsung 850 EVO MZ-75E250 - solid state drive - 250 GB - SATA 6Gb/s
TypeSolid state drive - intern
Kapacitet250 GB
Hardware krypteringJa
Model2.5"
GrænsefladeSATA 6Gb/s
Dataoverførselshastighed600 MBps
Buffer størrelse512 MB
EgenskaberHardware Full Disk Encryption (FDE), TRIM support, Affaldsindsamlingsteknologi, DRAM cache, DevSleep-tilstand, 3D V-NAND Technology, Dynamic Thermal Guard protection, Worldwide Name (WWN), RAPID-tilstandssupport, TurboWrite Technology, Low Power DDR2 SDRAM Cache, Samsung MGX Controller, S.M.A.R.T., 256-bit AES, IEEE 1667
Dimensioner (B x D x H)69.85 mm x 100 mm x 6.8 mm
Vægt40 g
Producentgaranti5 års garanti
Generelt
EnhedstypeSolid state drive - intern
Kapacitet250 GB
Hardware krypteringJa
Model2.5"
GrænsefladeSATA 6Gb/s
Buffer størrelse512 MB
EgenskaberHardware Full Disk Encryption (FDE), TRIM support, Affaldsindsamlingsteknologi, DRAM cache, DevSleep-tilstand, 3D V-NAND Technology, Dynamic Thermal Guard protection, Worldwide Name (WWN), RAPID-tilstandssupport, TurboWrite Technology, Low Power DDR2 SDRAM Cache, Samsung MGX Controller, S.M.A.R.T., 256-bit AES, IEEE 1667
Bredde69.85 mm
Dybde100 mm
Højde6.8 mm
Vægt40 g
Præstation
SSD-udholdenhed75 TB
Overføringshastighed, drev600 MBps (ekstern)
Intern datahastighed540 MBps (læs) / 520 MBps (skriv)
4KB Random Read97000 IOPS
4KB Random Write88000 IOPS
Driftssikkerhed
MTBF (forventet tid mellem fejl)1,500,000 timer
Ekspansion og forbindelse
Interface1 x SATA 6 Gb/s - 7 pin Serial ATA
Kompatibel bås2.5"
Effekt
Strømforbrug2.4 Watt (aktiv)
50 mW (ledig)
2 mW (sov)
Medfølgende programmer & Systemkrav
Med softwareSamsung Magician Software, Samsung Data Migration
Producentgaranti
Service & SupportBegrænset garanti - 5 år
Miljømæssige parametre
Min. driftstemperatur0 °C
Maks. driftstemperatur70 °C
Fugtighedsgrad ved brug5 - 95 % (ikke-kondenserende)
Modstandsdygtighed over for stød (non-operativ)1500 g @ 0,5 ms halvsinuspuls
Vibration tolerance (non-operativ)20 g @ 20-2000 Hz
Produktet er kendt under følgende varenumre i vores system
SKU: MZ-75E250B/EU
EAN: 8806086522977
EAN: 8809321845671
Hvorfor oplever jeg at den umiddelbart samme varer findes på forskellige varenumre?

Producenterne udgiver ofte den samme varer med forskellige varenumre, typisk handler det udelukkende om forskellige versioner af emballagen. Eksempelvis kan emballagen være målrettet forskellige lande. Vi forsøger bedst muligt at samle varerne, men det kan opleves at den samme varer figuerer på forskellige varenumre i vores system.